English
 English
Главная » Архив номеров » Том 11, 1998 г. » Номер 02-03 »

Том 11, номер 02-03, статья № 38

pdf Фаттахов Я. В., Галяутдинов М. Ф., Львова Т. Н., Хайбуллин И. Б. Динамика плавления кремния при облучении мощными импульсами некогерентного света. // Оптика атмосферы и океана. 1998. Т. 11. № 02-03. С. 264-268.
Скопировать ссылку в буфер обмена
Аннотация:

Впервые исследовалась динамика анизотропного локального плавления имплантированного кремния в раз-личных режимах светового облучения. Образование и рост локальных областей плавления (ЛОП) во время импульсного светового облучения регистрировались скоростной кинокамерой. Впервые зависимость количества и размеров ЛОП от времени была исследована в динамике.
Получена дополнительная информация о дефектообразовании в имплантированных полупроводниках в процессе облучения импульсами света.

Список литературы:

  1. Heinig K.-H. // Energy Pulse Modification of Semiconductors and Related Materials. Dresden: ZfK, 1985. P. 265–279.
  2. Celler G.K., Robinson Mc D., Trimble L.E., Lishner D.J. // Appl. Phys. Lett. 1983. V. 43. N 9. P. 868–870.
  3. Вейко В.П., Имас Я.А., Либенсон М.Н., Шандыбина Г.Д., Яковлев Е.Б. // Изв. АН СССР. Сер. Физич. 1985. Т. 49. N 6. С. 1236–1239.
  4. Гайдук П.И., Комаров Ф.Ф., Соловьев В.С. // XV Всесоюзн. совещ. по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. (Тезисы докл.). М.: Изд-во МГУ, 1985. С. 106.
  5. Кияк С.Г., Бончик А.Ю., Гафийчук В.В., Южанин А.Г., Тыслюк И.В., Похмурская А.В. // Изв. АН СССР. Сер. Физич. 1988. Т. 52. N 11. С. 2276–2281.
  6. Emel’yanov V.I. // Laser Phys. 1992. N 2. P. 389–466.
  7. Демчук А.В., Данилович Н.И., Лабунов В.А., Пристрем А.М. // Поверхность. Физ. хим. мех. 1988. N 1. С. 106–114.
  8. Фаттахов Я.В., Баязитов Р.М., Хайбуллин И.Б., Львова Т.Н., Еремин Е.А. // Изв. АН. Сер. физич. 1995. Т. 59. N 12. С. 136–142.
  9. Фаттахов Я.В., Галяутдинов М.Ф., Львова Т.Н., Хайбуллин И.Б. // Журнал технической физики. 1997. Т. 67. N 12. С. 97–99.