Том 16, номер 09, статья № 11

pdf Войцеховский А. В., Коханенко А. П., Несмелов С. Н. Инфракрасные детекторы на основе поверхностно-барьерных структур с внутренней фотоэмиссией. // Оптика атмосферы и океана. 2003. Т. 16. № 09. С. 856-861.
Скопировать ссылку в буфер обмена
Аннотация:

Матрицы фокальной плоскости инфракрасного диапазона на основе полупроводниковых фотоприемников перспективны для создания аппаратуры дистанционного зондирования атмосферы и поверхности Земли. В данной статье проведен анализ пороговых характеристик новых типов кремниевых детекторов с внутренней фотоэмиссией и рассмотрены способы управления граничной длиной волны таких фотоприемников.

Список литературы:

1. Rogalskii A. Infrared detectors. London: Gordon Press, 2001. 736 p.
2. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона / Под ред. В.Н. Синицы. Новосибирск: Наука, 2001. 376 с.
3. Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Несмелов С.Н., Соколов В.Н. Режимы ограничения пороговых характеристик ИК-фотоприемников на основе барьеров PtSi-Si с поверхностным высоколегированным слоем // Изв. вузов. Физ. 2002. № 5. С. 74-77.
4. Kimata M., Tsubouchi N. Schottky barrier photoemissive detectors // Infrared Photon Detectors, Bellingham: Optical Engineering Press, 1995. P. 299-349.
5. Tower J.R., Cope A.D., Pellon L.E., McCarthy B.M., Strong R.T., Kinnard K.F., Moldovan A.G., Levine P.A., Elabd H., Hoffman D.M., Kramer W.M., Longsderff R.W. Design and performance of 4 5120-element visible and 5 2560-element shortwave infrared multispectral focal planes // RCA Review. 1986. V. 47. P. 226-255.
6. Yutani N., Yagi H., Kimata M., Nakanishi J., Nagayoshi S., Tsubouchi N. 1040 1040 element PtSi Schottky-barrier IR image sensor // IEDM Tech. Digest. 1991. P. 175-178.
7. Sauer D.J., Shallcross F.V., Hsueh F.L., Meray G.M., Levine P.A., Gilmartin H.R., Villani T.S., Esposito B.J., Tower J.R. 640 480 MOS PtSi IR sensor // Proc. SPIE. 1991. V. 1540. P. 285-296.
8. Tsaur B.-Y., McNutt M.J., Bredthauer R.A., Mattson B.R. 128 128-element IrSi Schottky-barrier focal plane arrays for long wavelength infrared imaging // IEEE Electron Device Lett. 1989. V. 10. № 7. P. 361-363.
9. Wada H., Nagahima M., Hayashi K. 512 512 element GeSi/Si heterojunction infrared FPA// Proc. SPIE. 1999. V. 3698. № 14. P. 584-595.
10. Lin T.L., Maserjian J. Novel Si1-xGex/Si heterojunction internal photoemission long-wavelength infrared detectors // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. P. 1422-1424.
11. Tsaur B.-Y., Weeks M.M., Pellegrini P.W. Pt-Ir silicide Schottky-barrier IR detectors // IEEE Electron Device Lett. 1988. V. 9. № 2. P. 100-102.
12. Shannon J.M. Reducing the effective height of a Schottky barrier using low-energy ion implantation // Appl. Phys. Lett. 1974. V. 24. № 8. P. 369-371.
13. Kanaya H., Hasegawa F., Yamaka, Moriyama T., Nakajima M. Reduction of the barrier height of Silicide/p-Si1-xGex contact for application in a Infrared Image Sensor // Jap. J. Appl. Phys. Pt. 1. 1989. V. 28. № 4. P. 544-546.
14. Lin T.L., Park J.S., George T., Jones E.W., Fathauer R.W., Maserijian J. Long-wavelength PtSi infrared detectors fabricated by incorporating a p+ doping spike grown by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 62. № 25. P. 3318-3320.
15. Tsaur B.-Y., Chen C.K., Nechay B.A. IrSi Schottky-barrier infrared detectors with wavelength response beyond 12 m // IEEE Electron Device Lett. 1990. V. 11. № 9. P. 415-417.
16. Wei C.-Y., Tantraporn W., Katz W., Smith G. Reduction of effective barrier height in PtSi-p-Si Schottky diode using low-energy ion implantation // Thin Solid Films. 1982. V. 93. P. 407-412.
17. Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Korataev A.G., Nesmelov S.N. Modification of Parameters of Silicon Shottky Barriers Using Powerful Ion Irradiation: Proc. // 1 International Congress on Radiation Physics, High Electronics, and Modification of Materials. Tomsk, 2000, Tomsk: published TPU. 2000. V. 3. C. 362-364.
18. Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Несмелов С.Н., Ляпунов С.И., Комаров Н.В. Барьеры Шоттки кремний-силицид платины высоколегированным поверхностным слоем // Изв. вузов. Физ. 2001. № 8. C. 11-20.
19. Nesmelov S.N., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Kokhanenko A.P. Energy band diagrams of PtSi-Si barrier with a heavily-doped surface nanolayer formed by recoil implantation // Proc. SPIE. 2002. V. 4654. P. 164-173.
20. Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Несмелов С.Н., Ляпунов С.И., Комаров Н.В. Фотоэлектрические свойства фотоприемников на основе барьеров Шоттки кремний-силицид платины с высоколегированным поверхностным слоем // Изв. вузов. Физ. 2001. № 11. С. 8-18.
21. Машанов В.И., Чистохин И.Б., Зайцев Б.А., Пчеляков О.П., Соколов Л.В., Тишковский Е.Г., Фомин Б.И., Черепов Е.И. Получение фоточувствительных ячеек матричного модуля ИК-диапазона 3-5 мкм на основе гетеропереходов GexSi1-x/Si и исследование их характеристик // Микроэлектроника. 1998. Т. 27. № 6. C. 412-418.
22. Tsaur B.-Y., Chen C.K., Marino S.A. Heterojunction GexSi1-x/Si infrared detectors and focal plane arrays // Opt. Eng. 1994. V. 33. № 1. P. 72-78.
23. Strong R., Greve D.W., Misra R., Weeks M., Pellegrini P. GeSi infrared detectors // Thin Solid Films. 1997. V. 294. P. 343-346.
24. Park J.S., Lin T.L., Jones E.W., Del Castillo H.M., George T., Gunapala S.D. Long-wavelength stacked Si1-xGex/Si heterojunction internal photoemission infrared detectors // Proc. SPIE. 1993. V. 2020. P. 12-21.
25. Presting H. Near and mid infrared silicon/germanium based photodetection // Thin Solid Films. 1998. V. 321. P. 186-195.
26. People R., Bean J.C., Bethea C.G., Sputz S.K., Peticolas L.J. Broadband (8-14 m), normal incidence, pseudomorphic GexSi1-x/Si strained-layer infrared photodetector operating between 20 and 77 K // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 61. № 9. P. 1122-1124.
27. Krapf D., Adoram B., Shappir J., Sa`ar A. Infrared multispectral detection using Si/SixGe1-x quantum well infrared photodetectors // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. № 4. P. 495-497.
28. Park J.S., Karunasiri R.P.G., Wang K.L. Normal incidence infrared detector using p-type SiGe/Si quantum wells // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60. № 1. P. 103-105.
29. Jimenez J.R. Silicide/SiGe Schottky diode infrared detectors // Proc. SPIE. 1994. V. 2225. P. 393-403.
30. Xiao X., Sturm J.S., Parihar S.R., Lyon S.A., Meyerhofer D., Paifrey S., Shallcross F.V. Silicide/Strained Si1-xGe Schottky-barrier infrared detectors // IEEE Electron Device Lett. 1993. V. 14. № 4. P. 199-201.